淮师物电新闻网12月15日电（记者 陈友群）近日，淮阴师范学院王婷婷博士在新型非互易磁阻器件研究方面取得重要进展。该工作基于独立栅极结构的高迁移率AlGaN/GaN二维电子气异质结，成功实现了载流子浓度可调制的非互易巨磁阻效应，其磁阻系数超过60%，且响应高度线性、可逆。相关研究成果已于近期在《Applied Physics Letters》上发表。

非互易磁阻（OMR）是一种特殊的磁阻现象，其特征是对磁场方向反转表现出不对称的响应。尽管具有独特的物理特性，但由于在传统磁性金属中效应微弱且难以调控，OMR的实际应用一直受到严重限制。

该工作创新性地采用了AlGaN/GaN高迁移率二维电子气异质结构这一成熟半导体材料体系。通过精巧的双栅极设计，实现了对载流子密度的独立、精确调控，从而获得了巨大且可控的OMR效应。实验测得的最大OMR系数超过60%，是目前报道的最高值之一。研究表明，该效应源于通过分立栅压人工创造的霍尔系数空间梯度以及磁场诱导的对称性破缺。并且，该OMR效应展现出高度的线性度与人工可调性，并可通过器件几何结构优化进一步强化。这种“全电控”特性使得器件操控极为灵活，为实际应用奠定了坚实基础。

本研究工作得到了国家自然科学基金、江苏省高等学校基础科学（自然科学）研究面上项目等项目的资助。

《Applied Physics Letters》（应用物理快报）是应用物理学领域的权威期刊，由美国物理联合会（AIP）出版。其聚焦物理学前沿发现，涵盖光子学、先进材料、半导体、量子科学等关键方向，对连接物理基础研究与应用技术创新具有重要价值。

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