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【学术报告】石墨烯单晶晶圆制备与带隙调控
发布者: 发布时间:2017/6/12 9:36:21 阅读:

 

主讲人:谢晓明

时 间:2017614(周三)下午2:30

地 点:理工北楼204会议室

主 办:校科技处     物理与电子电气工程学院

江苏省现代检测技术与智能系统重点建设实验室

淮安市物理学会

报告内容简介:系统介绍中科院上海微系统所在CuNi合金催化衬底上通过单核控制制备大尺寸石墨烯单晶、在Ge衬底上通过取向外延制备晶园级石墨烯单晶薄膜以及通过在hBN沟槽中制备石墨烯纳米带实现带隙调控的研究进展,同时也将讨论石墨烯在电子学应用领域存在的机遇和挑战。

报告人简介:谢晓明,中科院上海微系统所研究员,博士生导师,上海微系统所副所长、中科院超导电子学卓越创新中心执行主任、信息功能材料国家重点实验室副主任,上海科技大学特聘教授,中国科学院大学特聘教授,上海市领军人才。1985年毕业于武汉大学物理系,1990年在中国科学上海微系统与信息技术研究所获博士学位并留所工作1993年至1995年在法国巴黎工业物理化学高等工程师学院(ESPCI)做访问学者,1995年至2005年在上海微系统所从事电子可靠性研究,2005年起主要从事超导和石墨烯量子材料、超导量子干涉器件及其在生物影像、地球物理探测等领域的应用基础研究。主持中科院B类战略先导专项、国家重大科研装备研制项目、国家重大专项等重大科研项目。曾获得上海市首届自然科学牡丹奖和第五届中国青年科技奖。发表研究论文约200篇,申请专利约130项。近日,谢晓明领导的研究团队在石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展,采用化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结,并将其成功应用于WSe2/MoS2 二维光电探测器件,研究成果以题为“Synthesis of High-Quality Graphene and Hexagonal Boron Nitride Monolayer In-PlaneHeterostructure on Cu-Ni Alloy” 2017519日在Advanced Science上发表。

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